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微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)：
產(chǎn)品時(shí)間：2024-11-26
簡要描述：北京卓立漢光儀器有限公司全新推出微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，可根據(jù)用戶需求提供定制化解決方案，產(chǎn)品范圍涵蓋微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)和磁圓二色測(cè)試系統(tǒng)，并可根據(jù)用戶需求升級(jí)拓展拉曼，熒光，熒光壽命及二次諧波等模塊，可用于檢測(cè)樣品表面磁性和磁疇結(jié)構(gòu)，適用于磁性材料、二維鐵磁材料和自旋電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域。

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產(chǎn)品介紹

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品概述

磁光克爾測(cè)量技術(shù)主要通過探測(cè)光和磁性樣品相互作用后反射光的偏振態(tài)變化來研究材料的磁性，在超快磁光存儲(chǔ)領(lǐng)域有重要應(yīng)用，磁光克爾測(cè)量技術(shù)是一種無接觸光學(xué)測(cè)量技術(shù)，在單原子層微小樣品測(cè)量方面*具優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)PPMS和SQUID無法完成的測(cè)量。微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)是基于磁光克爾效應(yīng)的非接觸、非破壞可直接觀測(cè)磁性材料和器件中的磁化狀態(tài)的光學(xué)顯微成像設(shè)備，用于清晰直觀了解樣品內(nèi)的磁化狀態(tài)空間分布和時(shí)間演化。
北京卓立漢光儀器有限公司全新推出微區(qū)磁光克爾及磁圓二色測(cè)試系統(tǒng)，可根據(jù)用戶需求提供定制化解決方案，產(chǎn)品范圍涵蓋微區(qū)磁光克爾系統(tǒng)和磁圓二色測(cè)試系統(tǒng)，并可根據(jù)用戶需求升級(jí)拓展拉曼，熒光，熒光壽命及二次諧波（可選配電控偏振）等模塊，可用于檢測(cè)樣品表面磁性和磁疇結(jié)構(gòu)，適用于磁性材料、二維鐵磁材料和自旋電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域。

非接觸，非破壞
波長，偏振態(tài)，角度分辨
微區(qū)測(cè)量
磁疇成像

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

磁光克爾顯微成像測(cè)試系統(tǒng)使用多路鎖相，同步采集，大幅抑制激光功率波動(dòng)噪聲。配置無磁反射式物鏡或單個(gè)非球面鏡成像，極低的法拉第效應(yīng)。使用光彈調(diào)制器，同步獲得MOKE與RMCD數(shù)據(jù)。產(chǎn)品從空間配置與鍍膜參數(shù)嚴(yán)格設(shè)計(jì)及檢測(cè)的光學(xué)元件組，保偏性能*佳。

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

主要配置清單

模塊	參數(shù)
主體架構(gòu)	主體尺寸：長 × 寬 × 高，約 600 mm × 600 mm × 550 mm; 高承重三維電控底座：步進(jìn)電機(jī)位移行程：行程：XYZ 12012040 mm；XY最小步進(jìn)距離： 0.04 um， Z軸最小步進(jìn)距離：~0.01 um；最大負(fù)載：＞ 10 Kg；鋁合金整體架構(gòu)；光路整體移動(dòng)：1. 光路移出以更換樣品；2. 大范圍尋找待測(cè)區(qū)域。靠近磁體部分采用無磁設(shè)計(jì)；
顯微成像模塊	尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；可見光相機(jī)：20M pixels，15fps@5K ，50fps@1.8K， Sony 1 英寸CMOS; 物鏡：適配磁體，無磁反射式物鏡或非球面透鏡；照明光源：科勒照明， LED面光源，亮度連續(xù)可調(diào)；成像模塊可電控完*移出光路，且不影響樣品面光斑位置。
MOKE&RMCD模塊	外殼尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；包含所需的外置設(shè)備：鎖相放大器；低噪聲前置放大探頭；光彈調(diào)制器；斬波器；克爾角分辨率： ~0.5 mdeg (~ 8.7mrad)；一次掃場同時(shí)獲得RMCD和MOKE數(shù)據(jù)；電控切換成像與測(cè)試；電控功率； Mapping功能，配合步進(jìn)掃描臺(tái)，或低溫設(shè)備內(nèi)置壓電臺(tái)。
Raman532&PL&SHG模塊	外殼尺寸：長 × 寬 × 高，約 550 mm × 550 mm × 145 mm；拉曼*低波數(shù)：＜ 80 cm-1；空間分辨率：300 nm （532 nm激光）；電控偏振掃描：起偏&檢偏，角度分辨率 0.0144 deg；電控功率調(diào)整； Mapping功能，配合步進(jìn)掃描臺(tái)，或低溫設(shè)備內(nèi)置壓電臺(tái)。
532nm窄線寬激光器 MSL-U-532	中心波長：532nm+/-0.1 輸出功率：100mw 功率穩(wěn)定性：2%（4 小時(shí) RMS） M2：＜1.2 線寬：＜0.00001nm 光斑模式：TEM00 噪聲：＜0.5%
軟件	MOKE，RMCD，Raman，PL 掃描成像；偏振掃描；支持文本代碼輸入，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試流程；

典型光路原理：

模塊化軟件界面：

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

可編程自動(dòng)化運(yùn)行界面：

典型數(shù)據(jù)和論文：

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

面掃描，磁疇成像，器件成像

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

本系統(tǒng)已發(fā)表論文：

[1] Huang X, et al. Nature Communications, 14(1): 2190.( 2023)
[2] Chen X, et al. Adv. Sci. 10, 2207617.( 2023)
[3] Dai H, et al. [J]. ACS nano, 16(8): 12437-12444.( 2022)
[4] Dai H, et al. [J]. ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 24314?24320
[5] Zhang L, et al. Adv. Mater. 2020, 32, 2002032
[6] Wang M, et al. Nanoscale, 2020, 12, 16427.

可擴(kuò)展功能：

拉曼，熒光，熒光壽命及二次諧波

微區(qū)-磁光克爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)